mos管自举电路原理,mos管驱动电路分析-KIA MOS管
mos管驱动电路原理
自举电容电路
自举，是指通过开关电源MOS管（这里指上管）和电容组成的升压电路，一般通过电源对电容充电，使其电压高于Vin。
最简单的自举电路由一个电容构成，为了防止升高后的电压，会回灌到原始的输入电压，通常会加一个二极管。
它的优势在于利用电容两端电压不能突变的特性来升高电压。
自举电路
-电容的左端为VB，即Vboost，电容的右端为VS浮地；
-C3则为自举电容；
-M为感性负载，电流向右续流。
MOS管Q开通
假设此时的自举电容C3已经充满电，为14V。
当PWM为1时，Q1实现导通，C端的电压为低，接着Q2的B端电压也为低，Q2导通；
这时Q2的E端电压为14V，经过Q2、D2、R4以后MOS管G端大概为12V，Q管（MOS）导通。在这里我们可以得知，自举电源的电压需要比MOS管驱动电压高约2V。
此后Q3的B端电压高于E端，Q3则关断。
Q管导通以后，VM（电机M为感性负载）直接施加在Q管的S端，由于S端与电容的右端相连，自举电容C3右端被抬高，大概在24V。
这时 电容两端的电压无法突变，电容左边的电压同样被抬高，此时14V+24V=38V。
随后，38V电压经过Q2、D2、R4持续给Q管的G端供电。
最后便达到了Q管的S端和G端被同时抬高至24V，且Vgs=12V。
MOS管Q关断的情况：
当PWM变为0时，Q1断开，Q2的BE没有了电流路径，Q2就会断开。这时自举电容的泄Vgs=0，Q管则关闭。
电机M（感性负载）电流向右续流，电流通过Q管的体二极管进行续流，此时C3电容右端电压为-0.7V，无法起到升压作用。二极管D1导通，14V电源通过D1给C3电容充电，充电完成。
接着PWM从0切换为1继续循环步骤。
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