mos管反相器详解,mos管反相器工作原理-KIA MOS管
MOS管反相器
MOS管反相器是通过控制栅极电压来改变源极和漏极之间的导电状态，从而实现信号的反相功能。
MOS管反相器工作原理
MOS管反相器主要由N沟道增强型MOS管构成。当栅极电压为高电平时，MOS管截止，源极和漏极之间不导电；当栅极电压为低电平时，MOS管导通，源极和漏极之间导电。这种开关特性使得MOS管可以用作反相器，将输入信号的反相信号输出。
NMOS管的结构示意图和表示符号如图所示，在P型衬底上制作两个掺杂N型区，形成MOS管的源极S和漏极D，中间电极称为栅极G，栅极和衬底之间通过SiO2绝缘层隔开。
下图为NMOS输出特性曲线，采用共源极接法，漏极特性曲线可分为三个工作区，截止区，可变电阻区，饱和区；
当VgsVgs(th)时，曲线以上可分为两部分，虚线以左为可变电阻区，当Vgs一定时，id与Vds之比近似为一个常数；虚线以右为饱和区，此时漏极电流id的大小基本只与Vgs的大小有关。
MOS管搭建反相器
下图为反相器的结构示意图，由一个PMOS和一个NMOS拼接而成；
当v=1时，T1截止，T2导通，vo=0;
当v=0时，T1导通，T2截止，vo=1;
在电路设计中，CMOS反相器Q由一个P沟道MOS管和一个N沟道MOS管组成。当输入信号为高电平时，P沟道MOS管截止，N沟道MOS管导通，输出低电平；当输入信号为低电平时，P沟道MOS管导通，N沟道MOS管截止，输出高电平。这样，输入信号的高电平和低电平分别对应输出信号的低电平和高电平，实现了信号的反相。
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