3n150场效应管参数,3a1500v,KNL42150A代换mos资料-KIA MOS管
3a1500v,KNL42150A参数引脚图
3n150场效应管代换型号KNL42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，导通电阻RDS(on)=5.5Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，减少开关损耗；具有高开关频率、低驱动电流，高可靠性，适用于高速转换、高速开关应用场景，在变频器电源和逆变器、适配器、充电器、SMPS待机电源中确保高效的电能转换；封装形式：TO-3PF，全隔离塑料包装，提供良好的电气连接和隔离。
3a1500v,KNL42150A参数
漏源电压：1500V
漏极电流：3A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：12A
单脉冲雪崩能量：500MJ
功率耗散：90W
阈值电压：2.5-4.5V
总栅极电荷：35nC
输入电容：1500PF
输出电容：30PF
反向传输电容：93PF
开通延迟时间：28nS
关断延迟时间：55nS
上升时间：50ns
下降时间：53ns
3a1500v,KNL42150A参数规格书
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