30v 85a,低压mos管,85a30v,KNY3403B场效应管参数-KIA MOS管
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30v 85a,KNY3403B场效应管参数引脚图
KNY3403B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用改进的工艺和单元结构特别定制，低导通电阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开关性能；低栅极电荷、低Crss、快速切换、改进的dv/dt能力等特性，确保性能稳定可靠；广泛应用于PD电源、UPS、逆变器系统的电源管理；封装形式：DFN5*6，尺寸小，散热良好。
30v 85a,KNY3403B场效应管参数
漏源电压：30V
漏极电流：85A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：340A
单脉冲雪崩能量：1565MJ
功率耗散：71W
阈值电压：1.3V
总栅极电荷：47nC
输入电容：2200PF
输出电容：270PF
反向传输电容：2205PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：140nS
上升时间：87ns
下降时间：82ns
30v 85a,KNY3403B场效应管规格书
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