dcdcmos管,100v mos管,75a场效应管,KIA3510AD参数,现货-KIA MOS管
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75a100v,KIA3510AD参数引脚图
KIA3510AD场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（ON）值为9mΩ，低导通电阻、低栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，性能高效低耗；100%雪崩测试，稳定可靠；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）；广泛应用于控制板、DCDC转换器、电机驱动板等，封装形式：TO-252，安装方便，体积小，散热良好。
75a100v,KIA3510AD参数
漏源电压：75V
漏极电流：100A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：219A
雪崩能量单脉冲：225MJ
功率耗散：166W
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：60nC
输入电容：2946PF
输出电容：339PF
反向传输电容：179PF
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：51nS
上升时间：108ns
下降时间：59ns
75a100v,KIA3510AD参数规格书
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