2301场效应管,mos2301贴片mos管,SOT23,KIA2301参数资料-KIA MOS管
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2301场效应管,mos2301参数引脚图
KIA2301是一款高效稳定的P沟MOSFET，漏源击穿电压20V，漏极电流为2.8A；极低RDS（on）的高密度单元设计，最大限度地减少导通损耗，提高了整机的能效；无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。KIA2301场效应管具有可靠性和高性能，是小家电方案应用的优质元件。
VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A
VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
2301场效应管,mos2301参数
漏源电压：20V
漏极电流：2.8A
栅源电压：±8V
脉冲漏电流：10A
功率耗散：1.25W
阈值电压：0.5-1V
总栅极电荷：5.8nC
输入电容：415PF
输出电容：223PF
反向传输电容：87PF
开通延迟时间：13nS
关断延迟时间：42nS
上升时间：36ns
下降时间：34ns
2301场效应管,mos2301参数规格书
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