控制器mos,85a30v,TO252,KND3403B场效应管参数资料-KIA MOS管
控制器mos,85a30v,TO252,KND3403B场效应管参数资料-KIA MOS管
85a30v,KND3403B场效应管参数引脚图
KND3403B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，使用KIA的LVMosfet技术生产，经过改进的工艺和单元结构特别定制，性能出色；低导通电阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；具有低栅极电荷、低Crss、快速切换、改进的dv/dt能力，高效稳定，广泛应用于控制器、保护板、逆变器中；封装形式：TO-252，尺寸小，散热良好。
85a30v,KND3403B场效应管参数
漏源电压：30V
漏极电流：85A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：340A
雪崩能量单脉冲：156MJ
最大功耗：71W
栅极阈值电压：1.3V
输入电容：2200PF
输出电容：270 PF
反向传输电容：205PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：140nS
上升时间：87ns
下降时间：82ns
85a30v,KND3403B场效应管规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
