7a100v mos,SOT-89,5610场效应管,KNS5610A参数资料-KIA MOS管
7a100v mos,SOT-89,5610场效应管,KNS5610A参数资料-KIA MOS管
7a100v mos,KNS5610A参数引脚图
KNS5610A场效应管漏极电流7A，漏源击穿电压100V，采用高单元密度的先进沟槽技术，具有优异的导通特性，RDS（ON）=98mΩ，低栅极电荷，减小开关损耗；出色的Cdv/dt效应设计，稳定可靠，符合RoHS和绿色产品要求；适用于通信设备、变换器、DC-DC、负载开关等，封装形式：SOT-89。
KNS5610A 场效应管参数表
漏源电压 (V<sub>DS</sub>) 100V一一最大耐受电压
连续漏极电流 (I<sub>D</sub>) 7A @25℃一一需降额使用于高温环境
导通电阻 (R<sub>DS(on)</sub>) 0.18Ω @V<sub>GS</sub>=10V一一关键性能指标，影响发热量
阈值电压 (V<sub>GS(th)</sub>) 2.5-3.5V一一驱动电压范围
封装形式 SOT-89一一尺寸约4.5×4.1×1.5mm
工作温度 -55℃ ~ +150℃一一工业级标准
核心应用领域
消费电子
手机/平板快充电路（用于同步整流）
蓝牙音箱功率开关
工业控制
PLC模块I/O端口驱动
小型电机H桥驱动（如3D打印机步进电机）
新能源领域
太阳能MPPT控制器功率调节
低速电动车BMS系统
合作客户类型参考
电源模块厂商 30W PD快充方案 50-100万片/年
工控设备商 自动化仪表IO板卡 20-30万片/年
LED驱动厂商 智能调光电源 10-15万片/年
工程应用注意事项
PCB布局要点：
源极引脚需大面积覆铜散热
Gate驱动电阻建议10-22Ω
失效模式预防：
避免V<sub>GS</sub>超过±20V
并联使用需匹配V<sub>GS(th)</sub>差异
7a100v mos,KNS5610A参数
漏源电压：100V
漏极电流：7A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：14A
最大功耗：22.7W
阈值电压：1.85V
输入电容：1535PF
输出电容：60PF
反向传输电容：37PF
总栅极电荷：26.2nC
开通延迟时间：4.2nS
关断延迟时间：35.6nS
上升时间：8.2ns
下降时间：9.6ns
7a100v mos,KNS5610A规格书
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