30v4.8a,3400mos,3400场效应管,KIA3400参数资料-KIA MOS管
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3400场效应管,KIA3400参数引脚图
KIA3400场效应管漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关损耗，高效稳定可靠；符合ROHS标准、绿色环保；适用于电源管理、开关控制、功率放大、高频信号处理等，封装形式：SOT-23，尺寸小，安装方便。
VDS(V)=30V
RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)
RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)
RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)
3400场效应管,KIA3400参数
漏源电压：30V
漏极电流：4.8A
栅源电压：±12V
脉冲漏电流：30A
总功耗：1.4W
阈值电压：0.6V
输入电容：823PF
输出电容：99PF
反向传输电容：77PF
总栅极电荷：9.7nC
开通延迟时间：3.3nS
关断延迟时间：26.3nS
上升时间：4.8ns
下降时间：4.1ns
3400场效应管,KIA3400参数规格书
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