85n06场效应管参数,bms mos,KND3306C参数资料-KIA MOS管
bms mos,KND3306C参数引脚图
KND3306C漏源电压68V,漏极电流80A,极低电阻RDS(ON)为6.5mΩ,最大限度地减少导通损耗;低Crss、快速切换特性,实现快速切换电源,高效率低损耗;100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,确保性能稳定可靠;适用于PWM应用程序、bms电池管理、负载开关中;封装形式:TO-252,体积小、散热良好。
bms mos,KND3306C参数
漏源电压:68V
漏极电流:80A
栅源电压:±25V
脉冲漏电流:320A
单脉冲雪崩能量:260MJ
功率耗散:125W
阈值电压:3.0V
总栅极电荷:92.6nC
输入电容:5850PF
输出电容:230PF
反向传输电容:210PF
开通延迟时间:25nS
关断延迟时间:48nS
上升时间:24ns
下降时间:10ns
bms mos,KND3306C参数规格书
联系方式:邹先生
座机:0755-83888366-8022
手机:18123972950(微信同号)
QQ:2880195519
联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号:提供 MOS管 技术支持
免责声明:网站部分图文来源其它出处,如有侵权请联系删除。