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85n06场效应管参数,bms mos,KND3306C参数资料-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2025-01-21 

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bms mos,KND3306C参数引脚图

KND3306C漏源电压68V,漏极电流80A,极低电阻RDS(ON)为6.5mΩ,最大限度地减少导通损耗;低Crss、快速切换特性,实现快速切换电源,高效率低损耗;100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,确保性能稳定可靠;适用于PWM应用程序、bms电池管理、负载开关中;封装形式:TO-252,体积小、散热良好。

bms mos,KND3306C参数

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漏源电压:68V

漏极电流:80A

栅源电压:±25V

脉冲漏电流:320A

单脉冲雪崩能量:260MJ

功率耗散:125W

阈值电压:3.0V

总栅极电荷:92.6nC

输入电容:5850PF

输出电容:230PF

反向传输电容:210PF

开通延迟时间:25nS

关断延迟时间:48nS

上升时间:24ns

下降时间:10ns

bms mos,KND3306C参数规格书

bms mos,KND3306C参数

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