5n50场效应管参数,5A 500V MOS,KIA5N50SD中文资料-KIA MOS管
5A 500V MOS,KIA5N50SD引脚图
KIA5N50SD场效应管漏源电压500V，漏极电流5A，低导通电阻，RDS（ON）为1.38Ω，最大限度地减少导通损耗；具有坚固的高压端接、指定雪崩能量、源极到漏极二极管的恢复时间可与分立快速恢复二极管相媲美、二极管的特点是用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（on）等优越性能，应用稳定可靠，高效低耗；封装形式：TO-252，体积小、散热良好。
5A 500V MOS,KIA5N50SD参数
漏源电压：500V
漏极电流：5A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：15A
单脉冲雪崩能量：80MJ
功率耗散：44.6W
阈值电压：3.5V
总栅极电荷：12nC
输入电容：525PF
输出电容：50PF
反向传输电容：4PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：29nS
上升时间：14.5ns
下降时间：12ns
5A 500V MOS,KIA5N50SD规格书
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