80a80vmos管,3308参数引脚图,KND3308A场效应管-KIA MOS管
80a80vmos管,KND3308A参数资料
KND3308A场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流80A,极低的导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ,最大限度地减少导电损耗;具有高雪崩电流,能够在额定工作条件下稳定运行,确保电路的安全可靠性;采用无铅和绿色设计,符合环保要求,广泛应用在电动车控制器、逆变器、BMS保护板、储能电源中,高效低耗;封装形式:TO-252,体积小、散热良好。
80a80vmos管,KND3308A参数
漏源电压:80V
漏极电流:80A
栅源电压:±25V
脉冲漏电流:340A
雪崩能量单脉冲:529MJ
总功耗:120W
阈值电压:3.0V
总栅极电荷:76nC
输入电容:3110PF
输出电容:445PF
开通延迟时间:20.4nS
关断延迟时间:63nS
上升时间:67ns
下降时间:43ns
80a80vmos管,KND3308A规格书

联系方式:邹先生
座机:0755-83888366-8022
手机:18123972950(微信同号)
QQ:2880195519
联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号:提供 MOS管 技术支持
免责声明:网站部分图文来源其它出处,如有侵权请联系删除。
