led mos,130a150v场效应管,KNP2915A参数引脚图-KIA MOS管
130a150v场效应管,KNP2915A资料
LED电源专用MOS管KNP2915A漏源击穿电压150V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 10mΩ；卓越的低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；符合JEDEC标准，稳定可靠；适用于电机控制和驱动、电池管理、UPS（不间断电源）等领域；封装形式：TO-220。
130a150v场效应管,KNP2915A参数
漏源电压：150V
漏极电流：130A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：500A
单脉冲雪崩能量：272MJ
功率耗散：428W
阈值电压：4V
总栅极电荷：70nC
输入电容：3560PF
输出电容：330PF
反向传输电容：90PF
开通延迟时间：18nS
关断延迟时间：35nS
上升时间：92ns
下降时间：70ns
130a150v场效应管,KNP2915A规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
