68v80a控制器,3306场效应管,KNB3306B参数引脚图-KIA MOS管
68v80a,KNB3306B场效应管参数引脚图
锂电池保护板专用MOS管KNB3306B漏源击穿电压68V，漏极电流80A，低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；3306场效应管开关速度快、耐冲击特性好、高雪崩电流，高效稳定；无铅绿色设备，环保可靠，在无刷电机、逆变器、控制器领域热销；封装形式：TO-263。
68v80a,KNB3306B场效应管参数
漏源电压：68V
漏极电流：80A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：280A
雪崩能量单脉冲：400MJ
功率耗散：156W
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：104nC
输入电容：3080PF
输出电容：400PF
反向传输电容：195PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：20nS
上升时间：13ns
下降时间：7.5ns
68v80a,KNB3306B场效应管规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
