mos管米勒平台形成原因,米勒平台改善-KIA MOS管
mos管米勒平台详解
mos管米勒平台形成原因是什么呢？MOS的三个级之间都存在寄生电容：栅极与源极之间的寄生电容为Cgs，漏极与源极之间的寄生电容为Cds，栅极与漏极之间的寄生电容为Cgd。
输入电容 Ciss = CGS + CGD
当漏源短接时，交流信号测得的GS电容即为输入电容。
输入电容充电到阈值电压时，MOSFET开启。
输出电容 Coss = CDS + CGD
输出电容的充放电会产生COSS损耗。
反向传输电容 Crss = CGD
反向传输电容，也称为米勒电容，导致米勒平台。
米勒平台的本质：
当MOSFET从截止区经过放大区转到可变电阻区时，对应其开通过程（反之为关断过程）。在放大区内，由于米勒效应，随着Vds下降，CGD电容显著增大。因此，给CGD电容充电的过程导致了米勒平台。
米勒效应的解释：
理想放大器中，电抗变换导致电流增大，等效为电抗变小，输入电抗变小对应于电容的增大(Z=1/jwC)。
米勒平台怎么改善？
米勒平台的危害：使MOS管开启时上升沿时间变长，MOS管发热增多，损耗加大；（开关损耗增加）。
解决方法
增大驱动功率，eg：使用MOS管专用驱动芯片，使用图腾柱电路。
栅源极之间增加一个电容，增加Cgs，使得MOS管更容易完全导通。
选择Cgd小的MOS管：在选择MOS管时，尽量选择Cgd较小的器件，有助于减少米勒平台的影响。
缩短驱动信号布线长度：减少寄生电感导致的米勒平台震荡电压过冲，并选择合适的栅极驱动电阻。
使用合适的门极驱动电阻：通过选择合适的门极驱动电阻RG来减缓米勒效应的影响。
在GS端并联电容：虽然会增加驱动损耗，但可以有效抑制寄生电压，防止米勒平台震荡。
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