30V100A MOS管,3203场效应管,KND3203B参数资料-KIA MOS管
30V100A MOS管,KND3203B参数引脚图
KND3203B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流100A；采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，极低导通电阻RDS(开启) 3.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；优秀的QgxRDS（on）产品性能，符合JEDEC标准，开关速度快、内阻低，稳定可靠；适用于开关电源、家电控制板、LED射灯、电动工具、风扇、无刷电机中；封装形式：TO-252，体积小、散热良好，便于安装和布局。
30V100A MOS管,KND3203B
漏源电压：30V
漏极电流：100A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：320A
雪崩能量单脉冲：256MJ
总功耗：101W
阈值电压：1.8V
总栅极电荷：50nC
输入电容：2340PF
输出电容：460PF
反向传输电容：305PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：34nS
上升时间：102ns
下降时间：95ns
3203场效应管参数,100A,30V规格书
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