MOS管反向击穿电压,二极管反向电压抑制-KIA MOS管
MOS管反向击穿电压
MOS管在反向工作状态下源极与漏极之间的电压达到一定的阈值时,MOS管将无法承受,会发生击穿现象。
齐纳击穿：
当PN结反向偏置时，电场导致耗尽层内的电子从价带隧穿到导带，导致反向电流突然增加。齐纳击穿通常发生在掺杂浓度较高的二极管中，击穿电压约为6V以下。
雪崩击穿：
当反向电压过大时，电子在耗尽层中被电场加速，与晶格原子碰撞产生更多的电子-空穴对，导致电流急剧增加。雪崩击穿通常发生在掺杂浓度较低的二极管中，击穿电压大于6V。
影响MOS管反向击穿电压的因素包括材料特性、结构设计和温度。材料的掺杂浓度和禁带宽度会影响击穿电压，掺杂浓度越高，击穿电压越低；温度升高会导致禁带宽度减小，从而增加齐纳击穿的可能性。
二极管反向电压抑制方法
选择合适的MOS管：在挑选MOS管时，别忘了查看其反向漏电流和反向击穿电压。反向漏电流越小，反向击穿电压越高，那么二极管反向电压就越小。选择时，务必关注这两个关键参数。
添加反向并联二极管：在MOS管的源极和漏极之间，加入一个反向并联二极管，可以巧妙地抑制二极管反向电压。当漏极电压为负值时，这个二极管会导通，从而将漏极电压限制在反向击穿电压以下，保护MOS管免受损害。
使用反向并联二极管芯片：为了简化操作，许多厂家推出了专门用于抑制MOS管二极管反向电压的芯片。这些芯片内部集成了反向并联二极管，可以直接连接到MOS管的源极和漏极之间，方便快捷。
利用反向并联二极管模块：除了芯片，还有模块化的反向并联二极管。这些模块内部集成了多个反向并联二极管，可以同时连接多个MOS管，起到抑制二极管反向电压的作用。它们通常具有较高的反向击穿电压和较小的反向漏电流，是保护MOS管的得力助手。
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