5n50mos管,500v5a,KIA5N50SY场效应管参数,原厂现货-KIA MOS管
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500v5a,KIA5N50SY场效应管资料
KIA5N50SY场效应管漏源击穿电压高达500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1.35Ω，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；坚固的高压端接、指定雪崩能量、源极到漏极二极管的恢复时间可与分立快速恢复二极管相媲美，低电荷、低反向传输电容，开关速度快；二极管的特点是用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（on），稳定可靠；封装形式：DFN5*6。
500v5a,KIA5N50SY场效应管参数
漏源电压：500V
漏极电流：5A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：15A
单脉冲雪崩能量：80MJ
功率耗散：68W
阈值电压：3.5V
总栅极电荷：12nC
输入电容：525PF
输出电容：50PF
反向传输电容：4PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：29nS
上升时间：14.5ns
下降时间：12ns
500v5a,KIA5N50SY场效应管规格书
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