MOS管,场效应管是什么控制型器件?-KIA MOS管
场效应管是什么控制型器件
场效应管是一种电压控制型器件,通过栅源电压(VGS)来控制漏极电流(ID),具有高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度和大电压/电流能力等特点。
因为场效应管是一种输入电阻很高的半导体器件,利用输入电压控制输出电流的,它的输入端几乎不需要电流,所以它是一种电压控制元件。它在工作过程中,起主要导电作用的载流子只有一种,即“多数载流子”,故场效应管又被称为“单极型晶体管”。
MOS管/场效应管利用控制栅极电压来控制电流流过两个源极和漏极之间的通道。当栅极电压超过阈值电压时,源极和漏极之间形成导电沟道,MOS管/场效应管进入导通状态;当栅极电压低于阈值电压时,导电沟道消失,MOS管/场效应管处于截止状态。这种控制方式使得MOS管/场效应管具有高精度、高灵活性和低功耗等优点。
场效应管的基本结构
源极(Source)
源极是场效应管的输入端,用于提供载流子。
漏极(Drain)
漏极是场效应管的输出端,用于接收载流子。
栅极(Gate)
栅极是场效应管的控制端,通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。
体(Body)
体是场效应管的衬底,通常与源极连接。

场效应管的特点
(1)场效应管是电压控制器件,它通过UGS来控制ID;
(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。
(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;
(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;
(5)场效应管的抗辐射能力强;
(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
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