大功率电源切换,11A 350V,KIA6035AD场效应管参数-KIA MOS管
11A 350V,KIA6035AD场效应管
KIA6035AD场效应管漏源击穿电压350V，漏极电流11A；采用先进的平面条纹DMOS技术，最大限度地减少导通电阻，导通电阻RDS(开启) 0.38Ω，降低功耗、提升效率；在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，低栅极电荷、高坚固性、指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，实现快速切换，稳定可靠；非常适合于高效切换模式电源，基于半桥拓扑的主动功率因数校正；封装形式：TO-252。
11A 350V,KIA6035AD场效应管参数
漏源电压：350V
漏极电流：11A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：36A
雪崩能量单脉冲：423MJ
最大功耗：99W
阈值电压：2-4V
输入电容：844PF
输出电容：162PF
反向传输电容：4PF
总栅极电荷：15nC
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：77nS
上升时间：23.5ns
下降时间：47.5ns
11A 350V,KIA6035AD场效应管规格书
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