28n50mos,28a500v场效应管,TO-3P,KIA28N50HH参数-KIA MOS管
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28n50mos,28a500v场效应管参数引脚图
KIA28N50HH场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0.16Ω，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；低栅极电荷、低Crss、改进的dv/dt能力，实现快速切换；经过100%雪崩测试、符合RoHS，稳定可靠；良好的开关特性，能够承受较大的耐压和电流，在车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等应用中表现出色，封装形式：TO-3P，适合大功率应用。
28n50mos,28a500v场效应管参数
漏源电压：500V
漏极电流：28A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：80A
雪崩能量单脉冲：1110MJ
总功耗：138W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：45nC
输入电容：2555PF
输出电容：355PF
反向传输电容：29PF
开通延迟时间：46nS
关断延迟时间：105nS
上升时间：118ns
下降时间：62ns
28n50mos,28a500v场效应管规格书
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