控制板mos,10a800v高压,KNF6180A场效应管参数-KIA MOS管
控制板mos,KNF6180A参数引脚图
控制板mos管KNF6180A漏源击穿电压800V，漏极电流10A；采用专用新型技术生产，极低导通电阻RDS(开启) 1.0Ω，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能；快速恢复体二极管、低栅极电荷、低反向传输电容，减少开关损耗，快速切换，稳定可靠；广泛应用于ATX电源、液晶面板电源等；封装形式：TO-220F。
控制板mos,KNF6180A参数
漏源电压：800V
漏极电流：10A
栅源电压：±30V
单脉冲雪崩能量：460MJ
功率耗散：55W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：60nC
输入电容：2910PF
输出电容：195PF
反向传输电容：25PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：68nS
上升时间：10ns
下降时间：23ns
控制板mos,KNF6180A参数规格书
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