bms mos管,80a40v场效应管,KNY3404D参数规格书-KIA MOS管
bms mos管,KNY3404D参数引脚图
bms mos管KNY3404D漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启) 5.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提升效率；具有开关速度快，内阻低，耐冲击特性好的特点；低栅极电荷、低反向传输电容、改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，稳定可靠、性能优越；广泛应用于PWM应用程序、电源管理、负载开关等；封装形式：DFN5*6。
bms mos管,KNY3404D参数
漏源电压：40V
漏极电流：80A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：320A
单脉冲雪崩能量：210MJ
功率耗散：64W
阈值电压：1.5V
总栅极电荷：58nC
输入电容：2680PF
输出电容：250PF
反向传输电容：225PF
开通延迟时间：7.3nS
关断延迟时间：22nS
上升时间：16ns
下降时间：13ns
bms mos管,KNY3404D参数规格书
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