逆变mos管,60v80amos管,KCD3406A场效应管参数-KIA MOS管
逆变mos管,60v80a,KCD3406A参数资料
逆变器专用mos管KCD3406A漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，采用先进的LVMOS工艺技术生产，SGT MOSFET通过结构改进提升性能，在降低导通电阻和开关损耗方面表现出色，最大限度地降低导通电阻，RDS(开启) =8.5mΩ；具有低栅电荷、低反馈电容、开关速度快、改进的dvdt功能，高效稳定；广泛应用于二次同步整流、逆变器电源管理，封装形式：TO-252。
逆变mos管,60v80a,KCD3406A参数
漏源电压：60V
漏极电流：80A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：240A
雪崩能量单脉冲：81MJ
总功耗：63W
阈值电压：2.0V
总栅极电荷：16.8nC
输入电容：1065PF
输出电容：430PF
反向传输电容：22PF
开通延迟时间：8nS
关断延迟时间：19nS
上升时间：54ns
下降时间：8.8ns
逆变mos管,60v80a,KCD3406A规格书
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