供电mos管,50n06,50a60v,KIA50N06BP场效应管-KIA MOS管
供电mos管,50n06,50a60v,KIA50N06BP场效应管-KIA MOS管
供电mos管,50n06场效应管参数引脚图
电机控制器mos管KNG3404D漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) 10.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；低电流以减少导电损耗、高雪崩电流，高效稳定；无铅和绿色设备，环保可靠；广泛应用于UPS、电源管理、电池管理系统等；封装形式：TO-220。
供电mos管,50n06场效应管参数
漏源电压：60V
漏极电流：50A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：250A
单脉冲雪崩能量：120MJ
功率耗散：88W
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：50nC
输入电容：2060PF
输出电容：755PF
反向传输电容：375PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：20nS
上升时间：13ns
下降时间：7.5ns
供电mos管,50n06场效应管规格书
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