大功率升压电路原理图,大功率电路设计-KIA MOS管
大功率升压电路
应用元件：
C1,C2,C5,C6,C8：输入与输出稳压滤波电容。
C9:HVDD滤波电容。
C3：HVDD经过内部稳压管到Vcc产生5V，此电压会提供内部电路与驱动MOS，需要加稳压电容。
C4,C10,R4：系统补偿回路元件，关系到LX方波稳定度与瞬时响应速度。
R1,R2：FB分压电阻，决定输出电压。
R3：改变阻值，调整过电流保护点。
R10：EN到输入上拉电阻，控制EN下拉地，关闭IC。
Rout:HVDD限流电阻1000,避免输出电压过高，击伤IC。
C12,R8：突波吸收元件，降低LX开关切换突波，一定要接。
L1：电感具有储能与滤波功用，感值越大电感涟波越小，相对感值越小涟波越大。选用电感 注意电感是否适合高频操作，及电感额定饱和电流值。
D1：当LX截止时，D1萧特基管导通，提供电感放电回路。
大功率反相降压升压变换器电路
基于TL494的反相Buck-Boost转换器的完整电路图如下所示。
电路分为三部分，第一部分是TL494 PWM控制器。TL494 PWM控制器驱动MOSFET。该IC配置为以100KHz开关频率切换，适用于这种类型的应用。
上面左侧的原理图中所示，反相降压升压转换器使用p沟道MOSFET作为开关，但p沟道MOSFET的一大缺点是其内阻。如果考虑一个通用的IRF9540 p沟道MOSFET，内阻是0.22R或220ms，但如果考虑它的互补n沟道的IRF540，内阻是0.077R或77ms，比p沟道小3倍。这样做是为了使用n沟道MOSFET来驱动电路，左边的上述简化电路正好显示了这一点。它使用n沟道MOSFET而不是p沟道。
电路的最后一部分是差分放大器。差分放大器接收两个电压值，找出这两个值之间的差值，并将其放大。由此产生的电压可以从输出引脚获得。
最后，电阻R19和R20形成一个分压器，将电压反馈到TL494 IC的引脚1，该引脚1根据负载情况调节PWM脉冲。
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