bldc mos,电机驱动器mos,25a500v,KNH7650A场效应管参数-KIA MOS管
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电机驱动器mos,KNH7650A参数引脚图
KNH7650A场效应管漏源电压500V，漏极电流25A，采用高级平面工艺制造，加固多晶硅栅极结构，能够提升设备性能，提高系统效率；低导通电阻RDS(开启) 170mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少开关损耗；性能优越、高效稳定，广泛应用于BLDC电机驱动器、电动焊机、高效SMPS等；封装形式：TO-3P。
电机驱动器mos,KNH7650A参数
漏源电压：500V
漏极电流：25A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：100A
雪崩能量单脉冲：1800MJ
最大功耗：290W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：76nC
输入电容：4280pF
输出电容：1400pF
反向转移电容：185pF
开通延迟时间：24nS
关断延迟时间：100nS
上升时间：40ns
下降时间：35ns
电机驱动器mos,KNH7650A规格书
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