高频电路mos,2908场效应管,KNP2908D参数引脚图-KIA MOS管
高频电路mos,KNP2908D参数引脚图
MOS管输入阻抗高、开关速度快，成为高频电路设计的核心器件。在射频放大器中，增强型MOS管的栅极电容仅约1-5pF，配合低至10nH的引线电感，可实现GHz级别的信号处理能力。以某5G基站功放电路为例，采用LDMOS器件时，其输出功率密度可达30W/mm，相比传统双极型晶体管提升约5倍。
KNP2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，低电流以减少开关损耗，提高效率；具有卓越的电气参数，高雪崩电流，能够承受高功率负载；无铅设备，绿色环保；产品采用专有的新型技术，具有更高的功率密度、效率和耐用性、更优的导通电阻和品质因数，广泛应用于电源切换应用程序、硬交换和高频电路、不间断电源等；封装形式：TO-220。
高频电路mos,KNP2908D参数
漏源电压：80V
漏极电流：130A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：500A
单脉冲雪崩能量：900MJ
功率耗散：246W
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：110nC
输入电容：4500PF
输出电容：640PF
反向传输电容：230PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：16ns
下降时间：52ns
高频电路mos,KNP2908D规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
