hid安定器,汽车安定器,75a100v,KIA3510AB场效应管参数-KIA MOS管
hid安定器,汽车安定器,75a100v,KIA3510AB场效应管参数-KIA MOS管
hid安定器,75a100v,KIA3510AB参数资料
hid安定器MOS管KIA3510AB漏源击穿电压100V，漏极电流75A，极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少导通损耗，低栅极电荷有助于降低开关损耗，性能优越；100%雪崩测试，稳定可靠；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）；广泛应用于汽车安定器、逆变电源、变频应用等，封装形式：TO-263，散热良好，适合多种电路设计需求。
hid安定器,75a100v,KIA3510AB参数
漏源电压：75V
漏极电流：100A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：219A
雪崩能量单脉冲：225MJ
功率耗散：166W
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：60nC
输入电容：2946PF
输出电容：339PF
反向传输电容：179PF
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：51nS
上升时间：108ns
下降时间：59ns
hid安定器,75a100v,KIA3510AB规格书
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