适配器mos管,500vmos管,KIA840SB参数引脚图-KIA MOS管
500vmos管,KIA840SB参数引脚图
KIA840SB场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；低栅极电荷、开关速度快，高效可靠；100%雪崩测试、符合RoHS，稳定环保；合理的峰值电流与脉冲宽度曲线，提供优越的开关性能；适用于适配器、电视电源、SMPS电源以及液晶面板电源，封装形式：TO-263，散热良好、安装方便。
500vmos管,KIA840SB参数
漏源电压：500V
漏极电流：8A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：28A
雪崩能量单脉冲：400MJ
最大功耗：160W
阈值电压：3V
总栅极电荷：24nC
输入电容：960PF
输出电容：110PF
反向传输电容：10PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：46nS
上升时间：17ns
下降时间：22ns
500vmos管,KIA840SB规格书
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