dcdc变换器,130a200v,2920场效应管,KCP2920A参数-KIA MOS管
dcdc变换器,130a200v,2920场效应管,KCP2920A参数-KIA MOS管
130a200v,2920场效应管参数引脚图
KCP2920A场效应管采用SGT MOSFET工艺，漏源击穿电压200V，漏极电流130A；新型沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 9.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，最小化开关损耗、提高效率；快速恢复体二极管，开关特性好、反向恢复时间短，稳定可靠，广泛应用于高频开关和同步整流、dcdc变换器等领域，封装形式：TO-220，散热良好。
130a200v,2920场效应管参数
漏源电压：200V
漏极电流：130A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：440A
雪崩能量单脉冲：2000MJ
总功耗：278W
阈值电压：2.5-4.5V
总栅极电荷：143nC
输入电容：10686PF
输出电容：392PF
反向传输电容：18PF
开通延迟时间：45nS
关断延迟时间：86nS
上升时间：20ns
下降时间：16ns
130a200v,2920场效应管规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
