描述：
N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管
KIA4N60该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特点
4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 ?@VGS=10V
*低栅极电荷量
*低反向传输电容
*开关速度快
*提升了dv/dt 能力
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4N60/H/HD/HF/HI/HU/P/PD |
| 描述 | 4.0A 600V N-CHANNEL MOSFET |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | www.kiaic.com |
| PDF页数 | 总6页 |
