KIA13N50 N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。

产品编号：KIA13N50

漏极至源极电压（VDSS）：500V

栅源电压（VGSS）：±30V

漏极电流（连续）（lD）：13A

耗散功率（PD）：195W

工作温度：±150℃

击穿电压温度：0.5/℃

输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升时间：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω

RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v

低栅极电荷（典型的45nc）

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

	13N50（13A 500V）
产品编号	KIA13N50/A/HB/HF/HP/UF/TH
沟道	MOSFET N沟道
封装形式	TO-220、TO220F、TO-263
产品工艺	13N50 N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器
产品特征	RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型的45nc）快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	主要适用于高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器
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厂家	KIA 原厂家
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网址	www.kiaic.com
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