IRF730产品参数

IRF730属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF730为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

TO-220封装的IRF730普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF730得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF730适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF730的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。

2、特征
动态dv/dt率

可恢复性雪崩测定

快速转换速率

并行简易

仅需简单驱动

无铅环保

3、IRF730产品参数

连续漏电流、电压：5.5a

连续漏电流、电压：3.5a

漏电流脉冲：22a

功耗：74w

线性降额因数：0.6 / w°C

源电压：±30

二极管恢复：4.6v/ns

工作温度：-55 + 150tstg

存储温度范围

焊接温度，10 seconds300（1.6mm案例）°C

封装形式：TO-220, TO-263, TO-262

4、MOSFET选型指标

PartNumbe	VDss(V)	ID（A）	Max RDS(ON) @60%ID(Ω)	Typical RDS(ON) @60%ID(Ω)
IRF840	500	8	0.85	63
IRF7811	30	14	14	17
IRF530	100	14	0.16	26
IRF530	100	17	90	24.7
IRF634	250	8.1	0.45	54
IRF7413	30	13	11	44
IRF3710	100	57	23	86.7
IRf1404	40	162	4	160