100N03A参数概述

KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对的阻力，提供优越的。

开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。

特征：

RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V

dv / dt的能力提高

快速开关

绿色环保

参数：

漏源电压(vdss):30V

栅源电压（vgss)：±20V

连续漏电流：（ld）：90A

脉冲漏极电流：360A

雪崩电流：50A

雪崩能量：125mJ

耗散功率（pd）：88W

热电阻：60℃/W

漏源击穿电压：30V

栅极阈值电压（min）：1.2V

温度系数：-5mV/℃

	KIA100N03A(90A 30V)
产品编号	100N03A/AB/AD/AP/AU
产品工艺	KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对的阻力，提供优越的。
产品特征	RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V dv / dt的能力提高快速开关绿色环保
适用范围	适用于高效率开关电源，有源功率因数校正、基于半桥拓扑
封装形式	TO-251、TO-252、TO-263、TO-220
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页