4N65H参数概述

这是功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对的阻力，提供优越的。

开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正、基于半桥拓扑。

特征：

RDS(on) =2.5?@ VGS=10V

低栅极电荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt／dt能力

参数：

产品型号：KIA4N65H

极性：N沟道MOSFET

漏源电压(vdss):650V

栅源电压（vgss)：±30V

连续漏电流：（ld）：3.0A

脉冲漏极电流：12A

雪崩电流：210mJ

雪崩能量：5.8mJ

耗散功率（pd）：58W

热电阻：110℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.65V/℃

栅极阈值电压（min）：100nA

	4N65H（4A 650V）
产品编号	KIA4N65/H/HD/HF/HU
FET极性	N沟道
产品工艺	功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对的阻力，提供优越的。
产品特征	RDS(on) =2.5??@ V GS =10V 低栅极电荷（典型的16nc）高耐用性快速切换 100%雪崩测试改进的dt／dt能力
适用范围	开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正、基于半桥拓扑。
封装形式	TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页数