KCX3250A参数

这种高电压MOSFET采用先进的终止方案，提供增强的电压。不随时间降低性能的阻塞能力。此外，这种先进的MOSFET是设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。新型节能设计还提供了一个快速恢复时间二极管源漏。专为高电压、高速设计开关电源，转换器和PWM电机控制中的应用程序，这些设备特别适用于桥式电路，二极管速度和换向安全操作区域。关键和提供额外的和安全边际对意外电压瞬变。

特点

鲁棒高压端接

雪崩能量

源漏二极管恢复时间相当于分立快恢复二极管

二极管的特点是用于桥式电路。

高温下指定的智能决策支持系统

隔离安装孔减少安装硬件

产品型号：KCX3250A

工作方式：100A.500V

漏电流连续：100A

栅源电压（连续）：±20V

耗散功率：767W

漏源击穿电压：500V

栅极阈值电压：2V

输入电容：6180 PF

输出电容：264 PF

上升时间：116 ns

封装形式：TO-247

	KCX3250A（100A/500V）
产品编号	KCX3250A（N沟道MOSFET）
产品工艺	这种高电压MOSFET采用先进的终止方案，提供增强的电压。不随时间降低性能的阻塞能力。此外，这种先进的MOSFET是设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。新型节能设计还提供了一个快速恢复时间二极管源漏。
产品特征	鲁棒高压端接雪崩能量源漏二极管恢复时间相当于分立快恢复二极管二极管的特点是用于桥式电路。高温下指定的智能决策支持系统隔离安装孔减少安装硬件
适用范围	专为高电压、高速设计开关电源，转换器和PWM电机控制中的应用程序，这些设备特别适用于桥式电路，二极管速度和换向安全操作区域。关键和提供额外的和安全边际对意外电压瞬变。
封装形式	TO-247
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页