KIA40N06参数

kia40n06b最高性能的沟道MOSFET与极端高细胞密度，为大多数的同步降压转换器，优良的导通电阻和栅极电荷应用，kia40n06b符合ROHS环保和绿色产品的要求，保证100% EAS全功能可靠性认证。

特点：

RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V

先进的高密度沟槽技术

超级Low Gate Charge

优良的CDV / dt效应递减

100% EAS保证

绿色的可用设备

应用：

MB /铌/VGA负载同步Buck变换器高频点

网络化DC-DC电源系统

液晶/ LED背光灯

产品型号：KIA40N06

工作方式：38A、60V

漏流电压：60V

栅源电压（连续）：±20V

连续漏电流：38A

脉冲漏极电流：80A

雪崩能量：28A

热电阻：62℃/W

漏源击穿电压：60V

温度系数：0.057

栅极阈值电压：1.2V

输入电容：2423 PF

输出电容：145 PF

上升时间：2.2 ns

封装形式：TO-251、TO-252

	KIA 40N06(38A 60V)
产品编号	KIA40N06BD/BU
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	kia40n06b最高性能的沟道MOSFET与极端高细胞密度，为大多数的同步降压转换器，优良的导通电阻和栅极电荷应用，kia40n06b符合ROHS环保和绿色产品的要求，保证100% EAS全功能可靠性认证。
产品特征	RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V 先进的高密度沟槽技术超级Low Gate Charge 优良的CDV / dt效应递减 100% EAS保证绿色的可用设备
适用范围	主要使用于MB /铌/VGA负载同步Buck变换器高频点网络化DC-DC电源系统液晶/ LED背光灯
封装形式	TO-251、TO-252
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA 原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页