KIA6N70参数

功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。

特征

RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v

低栅极电荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt／dt能力

产品型号：KIA6N70

工作方式：5.8A/700V

漏源电压：700V

栅源电压：±30V

漏电流连续：5.8*A

脉冲漏极电流：150mJ

雪崩能量：4.8A

耗散功率：95W

热电阻：110℃/W

漏源击穿电压：700V

温度系数：0.7V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：650 PF

输出电容：95 PF

上升时间：40 ns

封装形式：TO-251、TO-252、TO-220F

	KIA6N70（5.8A 700V）
产品编号	KIA6N70/HD/HF/HU/SU
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。
产品特征	RDS（ON）典型值= 1.8?@ V GS = 10v 低栅极电荷（典型的16nc）高耐用性快速切换 100%雪崩测试改进的dt／dt能力
适用范围	主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
封装形式	TO-251、TO-252、TO-220F
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页数