65N06现货供应商 KIA65N06 PDF文件下载 65A、60V-65N06-KIA 官网

信息来源：本站　日期：2018-01-29　

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KIA65N06参数

N沟道增强型功率场效应晶体管是使用起亚的专有的，平面条形DMOS技术。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越的开关性能，以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于低电压应用，如汽车，DC /直流转换器，高效的电源管理开关在便携式和电池供电产品。这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用的是起亚的专有的，平面条形DMOS工艺制作。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越的开关性能，并能承受高能量脉冲。

在雪崩和换相模式下。这些设备非常适合于低电压应用，如汽车，DC / DC转换器，以及高效率的开关电源管理便携式和电池供电的产品。

特征

65A, 60V, RDS(on)= 0.016Ω @VGS= 10V

低栅极电荷（典型的48nc）

Low Crss（典型的32.5pf）

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt／dt能力

175o最高结温度等级

产品型号：KIA65N06

工作方式：65A /60V

漏源电压：60V

栅源电压：±20V

雪崩能量：650mJ

耗散功率：150W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：60V

温度系数：0.7V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：200 PF

输出电容：450 PF

上升时间：33 ns

封装形式：TO-220、TO-220F、TO-263

	KIA65N06（65A/60V)）
产品编号	KIA65N06/AB
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	N沟道增强型功率场效应晶体管是使用起亚的专有的，平面条形DMOS技术。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越的开关性能，以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于低电压应用，如汽车，DC /直流转换器，高效的电源管理开关在便携式和电池供电产品。
产品特征	65A, 60V, RDS(on)= 0.016Ω @VGS= 10 V 低栅极电荷（典型的48nc） Low Crss（典型的32.5pf）快速切换 100%雪崩测试改进的dt／dt能力 175o最高结温度等级
适用范围	主要适用于低电压应用，如汽车，DC /直流转换器，高效的电源管理开关在便携式和电池供电产品。这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用的是起亚的专有的，平面条形DMOS工艺制作。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越的开关性能，并能承受高能量脉冲。在雪崩和换相模式下。这些设备非常适合于低电压应用，如汽车，DC / DC转换器，以及高效率的开关电源管理便携式和电池供电的产品。
封装形式	TO-220、TO-220F、TO-263
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总7页数