广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

2301现货供应商 KIA2301 PDF文件 KIA2301参数配置对比-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-01-29 

分享到:

KIA 2301特征

VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A

VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A

极低RDS(on)的高密度单元设计

获得无铅产品

坚固可靠


产品型号:KIA2301

工作方式:-2.8A/-20V

漏源电压:-20V

栅源电压:±8V

连续漏电流:-2.8A

雪崩电流:-1.6A

耗散功率:1.25W

热电阻:100℃/W

漏源击穿电压:-20V

栅极阈值电压:-0.5V

输入电容:415 PF

输出电容:223 PF

上升时间:36ns

封装形式:SOT-23



KIA2301(-2.8A/-20V)
产品编号 KIA2301/A
FET极性 P沟道MOSFET
产品特征

VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A

VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A

极低RDS(on)的高密度单元设计

获得无铅产品

坚固可靠

封装形式 SOT-23
PDF文件 【直接在线预览】
LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF页总数
总4页


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”


长按二维码识别关注

相关资讯

    KIA 2301参数

    特征


    VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A

    VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A


    极低RDS(on)的高密度单元设计

    获得无铅产品

    坚固可靠

    SOT-23封装


    产品型号:KIA2301

    工作方式:-2.8A/-20V

    漏源电压:-20V

    栅源电压:±8V

    连续漏电流:-2.8A

    雪崩电流:-1.6A

    耗散功率:1.25W

    热电阻:100℃/W

    漏源击穿电压:-20V

    栅极阈值电压:-0.5V

    输入电容:415 PF

    输出电容:223 PF

    上升时间:36ns

    封装形式:SOT-23



    KIA2301(-2.8A、-20V
    产品编号 KIA2301/A
    FET极性 P沟道MOSFET
    产品特征

    VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A

    VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A

    极低RDS(on)的高密度单元设计

    获得无铅产品

    坚固可靠

    封装形式 SOT-23
    PDF文件 【直接在线预览】
    LOGO
    厂家 KIA原厂家
    网址 www.kiaic.com
    PDF总页数 总4页

    联系方式:邹先生

    联系电话:0755-83888366-8029

    手机:18123972950

    QQ:2880195519

    联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1