特征
VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A
VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
极低RDS(on)的高密度单元设计
获得无铅产品
坚固可靠
SOT-23封装
产品型号:KIA2301
工作方式:-2.8A/-20V
漏源电压:-20V
栅源电压:±8V
连续漏电流:-2.8A
雪崩电流:-1.6A
耗散功率:1.25W
热电阻:100℃/W
漏源击穿电压:-20V
栅极阈值电压:-0.5V
输入电容:415 PF
输出电容:223 PF
上升时间:36ns
封装形式:SOT-23
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KIA2301(-2.8A、-20V) |
产品编号 | KIA2301/A |
FET极性 | P沟道MOSFET |
产品特征 |
VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A 极低RDS(on)的高密度单元设计 获得无铅产品 坚固可靠 |
封装形式 | SOT-23 |
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厂家 | KIA原厂家 |
网址 | www.kiaic.com |
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