7N80现货供应商 KIA7N80 7A/800V KIA7N80 PDF文件下载 -KIA 官网

信息来源：本站　日期：2018-01-30　

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KIA7N80参数

功率MOSFET采用SL半平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。

开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。器件非常适合高效率开关模式电源，有源功率因数校正基于半桥拓扑。

KIA7N80特征

RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V

低栅极电荷（典型的27nc）

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt／dt能力

产品型号：KIA7N80

工作方式：7A/800V

漏源电压：800V

栅源电压：±30V

漏电流连续：7.0A

脉冲漏极电流：28A

雪崩能量：650mJ

耗散功率：167W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：800V

温度系数：1V/℃

栅极阈值电压：3.0V

输入电容：1300 PF

输出电容：120 PF

上升时间：100 ns

封装形式：TO-220、TO-220F

	KIA7N80（7A/800V）
产品编号	KIA7N80/HF
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET采用SL半平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。
产品特征	RDS(on)=1.4Ω @ VGS=10V 低栅极电荷（典型的27nc）高耐用性快速切换 100%雪崩测试改进的dt／dt能力
适用范围	主要适用于高效率开关模式电源，有源功率因数校正基于半桥拓扑
封装形式	TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF页总数	总6页