1、KIA830特征
RDS（ON）= 1Ω
符合RoHS
低电阻
低栅极电荷
峰值电流与脉宽曲线
2、KIA830应用
适配器
充电器
开关电源的待机功耗
3、KIA830参数描述
产品型号：KIA830
工作方式：5A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±20V
漏电流连续：5.0*A
脉冲漏极电流：6A
雪崩电流：8A
耗散功率：100W
热电阻：100℃/W
漏源击穿电压：500V
温度系数：0.6V/℃
栅极阈值电压：2V
输入电容：730 PF
输出电容：80 PF
上升时间：15 ns
封装形式：TO-220、TO-252
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KIA830(5A/500V)
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产品编号
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KIA830/H/SD/KND830
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品特征
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RDS（ON）= 1Ω
符合RoHS
低电阻
低栅极电荷
峰值电流与脉宽曲线
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适用范围
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主要适配器
充电器
开关电源的待机功耗
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封装形式
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TO-252、TO-220
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PDE文件
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 【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总8页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8029
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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