KIA30N03参数
kia30n03b性能最高的N沟道MOSFET沟道与极端的高密度，为大多数的同步降压转换器应用优良的导通电阻和栅极电荷，kia30n03b符合ROHS环保和绿色产品的要求，100% EAS保证全功能可靠性的批准。
KIA30N03特征
RDS（ON）= 15m?@ V DS = 30v
先进的高密度沟槽技术
超级Low Gate Charge
优良的CDV / dt效应递减
100% EAS保证
绿色的可用设备
KIA30N03应用
MB /铌/注意/ VGA负载同步Buck变换器高频点
网络化DC-DC电源系统
负荷开关
产品型号：kia30n03
工作方式：30A/30V
漏源电压：30V
栅源电压：±20V
漏电流连续：30A
脉冲漏极电流：60A
雪崩能量：72mJ
耗散功率：25W
热电阻：25℃/W
漏源击穿电压：30V
温度系数：0.023V/℃
栅极阈值电压：1.0V
输入电容：572 PF
输出电容：81 PF
上升时间：9.8 ns
封装形式：TO-251、TO-252
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KIA30N03（30A 30V）
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产品编号
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KIA30N03/BD
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品工艺
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kia30n03b性能最高的N沟道MOSFET沟道与极端的高密度，为大多数的同步降压转换器应用优良的导通电阻和栅极电荷，kia30n03b符合ROHS环保和绿色产品的要求，100% EAS保证全功能可靠性的批准。
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适用范围
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主要适用于MB /铌/注意/ VGA负载同步Buck变换器高频点
网络化DC-DC电源系统
负荷开关
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封装形式
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TO-251、TO-252
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PDF文件
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 【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总5页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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