KIA12N65参数

KIA12n65hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。

KIA12N65特征

RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V

低栅极电荷（典型的52nc）

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

产品型号：KIA12N65

工作方式：12A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

漏电流连续：12.0*A

脉冲漏极电流：48.0*A

雪崩能量：865mJ

耗散功率：54W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.7V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：1850 PF

输出电容：180 PF

上升时间：90 ns

封装形式：TO-220F

	KIA12N65（12A 650V）
产品编号	KIA12N65/HF
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	KIA12n65hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器
产品特征	RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V 低栅极电荷（典型的52nc）快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	适用于高速功率开关，开关电源等
封装形式	TO-220F
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页