KIA10N80参数

功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的开关。性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。

KIA10N80特点

RDS(on) =0.85? @ VGS =10V

低栅极电荷（典型的63nc）

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

ESD能力提高

产品型号：KIA10N80

工作方式：10A/800V

漏源电压：800V

栅源电压：±25V

漏电流连续：10A

脉冲漏极电流：40A

雪崩能量：350mJ

耗散功率：42W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：800V

温度系数：0.8V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：2230 PF

输出电容：135 PF

上升时间：35 ns

封装形式：TO-220F、TO-3P

	KIA10N80（10N80）
产品编号	KIA10N80/HF/HH
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的开关。性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲
产品特征	RDS(on) =0.85? @ VGS =10V 低栅极电荷（典型的63nc）高耐用性快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力 ESD能力提高
适用范围	主要适合于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑
封装形式	TO-220F、TO-3P
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页