KCM3650参数

高电压MOSFET采用先进的终止方案，提供增强的电压。不随时间降低性能的阻塞能力。此外，这种先进的MOSFET设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。新的节能设计还提供了一个快速恢复时间二极管源漏。高电压设计，高速开关电源，转换器和PWM电机控制中的应用程序，这些设备特别适用于桥式电路，二极管速度和换向安全操作区域。关键和提供额外的和安全边际对意外电压瞬变。

KCM3650特征

强大的高压终止

雪崩能量

源漏二极管恢复时间相当于分立快恢复二极管

二极管的特点是用于桥式电路

IDSS和VDS（上）指定高温

隔离安装孔减少安装硬件

KCM3650参数指标

产品型号：KIA3650

工作方式：60A/500V

漏源电压：500V

栅源电压：±20V

漏电流连续：60A

脉冲漏极电流：180A

雪崩能量：1280mJ

耗散功率：54W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：500V

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：3180 PF

输出电容:4400 PF

上升时间：52 ns

封装形式：TO-220F、TO-247

	KCM3650（60A 500V）
产品编号	KCM3650A
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	高电压MOSFET采用先进的终止方案，提供增强的电压。不随时间降低性能的阻塞能力。此外，这种先进的MOSFET设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。新的节能设计还提供了一个快速恢复时间二极管源漏。高电压设计，高速开关电源，转换器和PWM电机控制中的应用程序。
产品特征	强大的高压终止雪崩能量源漏二极管恢复时间相当于分立快恢复二极管二极管的特点是用于桥式电路 IDSS和VDS（上）指定高温隔离安装孔减少安装硬件
适用范围	主要适用于桥式电路，二极管速度和换向安全操作区域。关键和提供额外的和安全边际对意外电压瞬变。
封装形式	TO-220F、TO-247
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF页总数	总5页