KIA4750参数指标
特征
符合RoHS
RDS（ON）= 0.7Ω@ VGS = 10 V
低栅电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
KIA4750应用
适配器
充电器
开关电源的待机功耗
KIA4750参数
产品型号：KIA6035
工作方式：9.0A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
漏电流连续：9.0A
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：400mJ
耗散功率：120W
热电阻：75℃/W
漏源击穿电压：500V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：960 PF
输出电容：110 PF
上升时间：17 ns
封装形式：TO-252、TO-220
|
KIA6035
|
|
产品编号
|
KIA6035（11A 350V）
|
|
FET极性
|
N沟道MOSFET
|
|
产品特征
|
符合RoHS
RDS（ON）= 0.7Ω@ VGS = 10 V
低栅电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
|
|
适用范围
|
主要适用于适配器、充电器、开关电源的待机功耗
|
|
封装形式
|
TO-252、TO-220
|
|
PDF文件
|
 【直接在线预览】
|
|
LOGO
|
|
|
厂家
|
KIA原厂家
|
|
网址
|
www.kiaic.com
|
|
PDF页总数
|
总6页数
|
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”
长按二维码识别关注
