KIA6035参数指标

这是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。

特征

RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷（典型的15nc）

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

参数

产品型号：KIA6035

工作方式：11A/350V

漏源电压：350V

栅源电压：±20V

漏电流连续：11A

脉冲漏极电流：36A

雪崩电流：9.91mJ

雪崩能量：423mJ

耗散功率：99W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：350V

温度系数：0.35V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：844 PF

输出电容：162 PF

上升时间：23.5 ns

封装形式：TO-252、TO-220

	KIA6035/AD/AP
产品编号	KIA6035(11A 350V）
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	这是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。
产品特征	RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典型的15nc）高耐用性快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正，基于半桥拓扑
封装形式	TO-252、TO-220
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页