KIA6110参数指标
kia6110性能最高的N沟道MOSFET沟道的极端高密度，它提供了大部分的同步降压转换器应用优良的导通电阻和栅极电荷。的kia6110符合ROHS环保和绿色产品的要求，100% EAS功能完全保证可靠性的批准。
特征
RDS（ON）= 90mΩ@ VGS = 10v
先进的高密度沟槽技术
超低栅电荷
绿色的可用设备
应用
高频点同步降压变换器
网络化DC-DC电源系统
负荷开关
参数
产品型号：KIA6110
工作方式：12A/100V
漏源电压：100V
栅源电压：±20V
漏电流连续：12A
脉冲漏极电流：24A
雪崩电流：11A
雪崩能量：7.3mJ
耗散功率：34.7W
热电阻：3.6℃/W
漏源击穿电压：100V
温度系数：0.098V/℃
栅极阈值电压：1.0V
输入电容：1535 PF
输出电容：60 PF
上升时间：8.2 ns
封装形式：TO-251、TO-252
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KIA6110
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产品编号
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KIA6110/AD/AU
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品工艺
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kia6110性能最高的N沟道MOSFET沟道的极端高密度，它提供了大部分的同步降压转换器应用优良的导通电阻和栅极电荷。的kia6110符合ROHS环保和绿色产品的要求，100% EAS功能完全保证可靠性的批准。
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产品特征
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RDS（ON）= 90mΩ@ VGS = 10v
先进的高密度沟槽技术
超低栅电荷
绿色的可用设备
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适用范围
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主要适用于高频点同步降压变换器、网络化DC-DC电源系统、负荷开关
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封装形式
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TO-251、TO-252
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PDF文件
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 【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总5页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8029
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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